3 月 31 日，长江存储官宣：300 层以上 3D NAND 闪存研发成功，全球第一，Xtacking 4.0 架构，性能、密度、能效全面超越三星、SK 海力士。苹果立即调整供应链，国行 iPhone 全面搭载长江存储闪存，打破美韩 30 年垄断，国产存储彻底崛起。
300 层 NAND 是存储芯片 “珠穆朗玛峰”，技术壁垒极高。长江存储仅用 10 年，从 32 层到 300 层，实现 “十级跳”。Xtacking 4.0 架构，存储密度提升 50%、读写速度增 30%、功耗降 25%，寿命延长 40%。性能对标三星 286 层、SK 海力士 321 层，部分指标超越。
打破美韩 30 年垄断。1995 年起，三星、SK 海力士、美光垄断 NAND 市场，占比 90%+，定价权、技术主导。长江存储突破，国产存储从 “跟跑” 到 “领跑”，全球格局改写。中国存储芯片自给率从 5% 到 40%，2030 年目标 80%。
苹果 “火速牵手”。3 月 30 日，苹果确认国行 iPhone 全面搭载长江存储 300 层 NAND。原因：性能达标、成本降 15-20%、供应链多元化、规避美国政策风险。打破三星、SK 海力士双寡头，苹果重获议价权。
对苹果意义重大。成本下降，iPhone 利润提升；供应稳定，告别缺货涨价；本土化增强，中国市场更稳。国行 iPhone 闪存 “全国产化”（长江存储 NAND + 长鑫存储 DRAM），成本、供应、安全全面优化。
对长江存储 “里程碑”。打入果链，品牌、技术、品质获顶级认可。销量、营收、利润暴涨，2026 年目标全球第二，2027 年第一。带动国产存储产业链成熟，设备、材料、封测全面突破。
对国产手机 “重大利好”。华为、小米、OPPO、vivo 全面采用，成本降、性能升、供应稳。高端机闪存不再受制于人，国产高端崛起。存储芯片价格下降，手机、电脑、SSD 更便宜，消费者受益。
行业影响深远。全球存储芯片竞争加剧，价格回归合理，落后产能淘汰。中国成全球存储中心，长江存储、长鑫存储双龙头，带动千亿产业。国产芯片突破，中国半导体崛起，打破西方垄断。
未来趋势。长江存储 2026 年推 400 层 NAND，2027 年 500 层，持续领跑。国产存储全面替代，全球份额超 50%。存储芯片 “中国时代” 到来，科技自立自强里程碑。
长江存储 300 层 NAND全球第一，打破美韩 30 年垄断。苹果纳入国行供应链，国产存储彻底崛起，中国科技自立自强重大突破。
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